為了從臺積電手中奪回“全球最先進芯片制造商”的寶座，英特爾搶先下手了，盡管阿斯麥(ASML)最新型號的光刻機還未投產(chǎn)，但英特爾已經(jīng)打錢預定了。建廠擴產(chǎn)、被傳收購格芯，現(xiàn)在又開始搶購光刻機，最近，英特爾為了在芯片大戰(zhàn)中翻身，動作頻頻。這并不意外，英特爾CEO已經(jīng)表過態(tài)了，“我們不要浪費這場危機”。

搶先購入

報價逾3.4億美元，光刻機巨頭阿斯麥的下一代設(shè)備價格再創(chuàng)新高，較前一代價格增逾13%。

即便是天價，也不影響芯片廠商的踴躍。當?shù)貢r間1月19日，阿斯麥官網(wǎng)顯示，英特爾已經(jīng)率先訂購了一臺，為業(yè)內(nèi)首家。

作為制造芯片的核心裝備，光刻機的先進程度等直接決定了芯片的制程工藝。自2017年阿斯麥第一臺量產(chǎn)的EUV光刻機正式推出以來，三星的7nm/5nm工藝，臺積電的第二代7nm工藝和5nm工藝的量產(chǎn)都是依賴于0.55數(shù)值孔徑的EUV光刻機來進行生產(chǎn)。

而伴隨著芯片廠商向3nm制程工藝沖刺，對光刻機的要求也越來越高，需要依賴于阿斯麥新一代的高數(shù)值孔徑(High-NA)EUV光刻機EXE:5000系列。

此次英特爾訂購的這臺光刻機，型號為High-NA量產(chǎn)型EUV光刻機EXE:5200，將采用不同的鏡頭系統(tǒng)，NA更大，將會是業(yè)界最強的光刻機。阿斯麥發(fā)言人表示，更高的光刻分辨率將允許芯片縮小1.7倍，同時密度增加2.9倍。未來比3nm更先進的工藝，將極度依賴高NAEUV光刻機。

阿斯麥方面稱，“HighNA”EUV，每臺的成本約為3億美元。第一批原型將于2023年發(fā)貨，預計要到2025年才能用于批量生產(chǎn)。

其實，首個訂單花落英特爾并不意外。去年7月，在“英特爾加速創(chuàng)新：制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會”上，英特爾已宣布將在2024年量產(chǎn)20A工藝(相當于臺積電2nm工藝)，并透露其將率先獲得業(yè)界第一臺High-NAEUV光刻機。

不過，臺積電和三星也不甘示弱。此前，臺積電已經(jīng)向阿斯麥采購了High-NA研發(fā)型EUV光刻機EXE:5000，業(yè)內(nèi)預計在今年內(nèi)會跟進下單High-NA量產(chǎn)型EUV光刻機。

翻身之戰(zhàn)

顯而易見，英特爾此次急于出手是為了爭奪最強芯片制造商地位。此前在7nm領(lǐng)域的爭奪，英特爾就不及臺積電和三星，略遜一籌。

英特爾10nm曾被認為是臺積電7nm的同一代，英特爾7nm被認為是臺積電5nm的同一代。早在2018年4月，當英特爾10nm制程芯片難產(chǎn)時，臺積電已經(jīng)宣布成功量產(chǎn)EUV工藝的7nm制程芯片。6個月后，三星也宣布量產(chǎn)7nmEUV工藝。

到了2019年，臺積電開始試產(chǎn)5nm制程芯片，同年，英特爾量產(chǎn)10nm。至于英特爾的7nm，在最新的規(guī)劃里，預計投產(chǎn)時間是2022二季度。而臺積電的3nm芯片將在今年下半年量產(chǎn)。

制程持續(xù)落后，英特爾在上游設(shè)備和下游市場上也不占優(yōu)勢。

去年5月，三家芯片大廠曾展開一次激烈角逐。在半導體工藝進入7nm節(jié)點之后，EUV光刻機成了關(guān)鍵裝備，而臺積電明顯在此前搶占了先機。據(jù)統(tǒng)計，阿斯麥近年來一共量產(chǎn)了100臺左右的EUV光刻機，其中供應給臺積電的就有70臺，占了絕大多數(shù)份額。

臺積電同時還是市場的絕對占據(jù)者。去年三季度，臺積電憑借148.84億美元的營收，拿下了全球芯片代工市場53.1%的市場份額。

同樣，臺積電還手握多家大客戶。據(jù)《經(jīng)濟日報》報道，臺積電2022年的產(chǎn)能十分搶手，AMD、蘋果、英偉達、高通等數(shù)十家客戶紛紛預先支付資金，以確保后續(xù)的生產(chǎn)能夠順利進行。預計臺積電今年將取得1500億新臺幣的預付款(約合346億元人民幣)。

而放眼整個半導體市場，英特爾的地位也不如三星。1月19日，數(shù)據(jù)研究機構(gòu)Gartner發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2021年半導體市場整體銷售額增長25.1%至5835億美元，首次突破5000億美元，其中，三星電子超越英特爾成為收入最高的芯片制造商。

建廠蓄力產(chǎn)能

在全球缺芯的大背景下，英特爾也嘗到了“落后”的苦頭。近兩年，英特爾發(fā)力不斷。

去年1月，英特爾換帥，帕特·基辛格被任命為新的CEO，他曾經(jīng)是英特爾第一任首席技術(shù)官，為英特爾工作了30年。彼時，英特爾董事長OmarIshrak表示：“現(xiàn)在是英特爾轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵時期，正是充分發(fā)揮帕特在技術(shù)和工程方面專長，進行公司領(lǐng)導變動的合適時機。”

在去年7月的發(fā)布會上，英特爾發(fā)布了一系列關(guān)于制程和封裝技術(shù)的重磅內(nèi)容，并指出要用四年時間追趕上臺積電與三星電子的差距。

半導體從業(yè)人員孫先生告訴記者：“英特爾一開始是做存儲起家的，后轉(zhuǎn)入處理器大獲成功。而由于固步自封，在和高通、英偉達、ARM的競爭中，顯得力不從心。存儲現(xiàn)在已經(jīng)不是英特爾的核心業(yè)務了，轉(zhuǎn)而專注于智能芯片的研發(fā)。”他還表示，英特爾這次是真的被逼急了，就為了重回半導體行業(yè)的巔峰。

除了頂層架構(gòu)，英特爾在產(chǎn)能上也大動作不斷。去年3月23日，英特爾對外公布“IDM2.0”戰(zhàn)略，宣布在美國亞利桑那州投資200億美元，新建兩座晶圓廠，同時表示將打造英特爾代工服務。

之后9月7日，帕特·基辛格又表示，在未來十年時間里，英特爾可能會在歐洲投資最多800億歐元以提高其在該地區(qū)的芯片產(chǎn)能。12月，又有消息傳出英特爾計劃在全球范圍內(nèi)增加產(chǎn)能，具體舉措將包括在法國和意大利增設(shè)工廠，以及在德國建立一個主要生產(chǎn)基地。

隨后外媒TheStreet也在1月14日曝出，英特爾將斥資10億美元在俄亥俄州建造新晶圓代工廠，據(jù)報道，英特爾俄亥俄州新奧爾巴尼廠占地1295公頃，預計將于十年內(nèi)建成，若設(shè)廠消息最終屬實，這將是俄州1982年以來最大規(guī)模的企業(yè)設(shè)廠。

1月19日，帕特在接受采訪時稱，看好美國和歐盟將推動政府撥款支持芯片工廠建設(shè)的提議，認為美國、歐洲政府應該提供資金支持，讓芯片制造回歸本土，“我們不要浪費這場危機”。

對于建廠擴產(chǎn)，英特爾毫不手軟。數(shù)據(jù)顯示，英特爾今年資本支出預期將在180億至190億美元，明年資本支出預計將提高到250億至280億美元，增幅至少在三成以上。面對如此如此強勁的發(fā)力勢頭，社記者聯(lián)系英特爾方面，試圖向其核實是否已經(jīng)有了明確的建廠計劃，擴能后將如何發(fā)展等問題，但截至發(fā)稿未收到具體回復。

不過，英特爾的競爭對手也不甘示弱，臺積電今年預期投資300億美元，三年內(nèi)將投資1000億美元。當然，在持續(xù)激增的芯片需求下，芯片廠商們的共贏是大勢所趨。英特爾、美光科技等芯片制造商認為，全球半導體行業(yè)的繁榮可以持續(xù)到2025年。(記者 楊月涵 實習記者 孟悅)