存儲(chǔ)芯片報(bào)價(jià)跌跌不休，廠商難忍虧損。

據(jù)臺(tái)灣工商時(shí)報(bào)今日?qǐng)?bào)道，三星下令暫停存儲(chǔ)芯片第六代V-NAND成熟型制程報(bào)價(jià)，低于1.6美元者全面停止出貨。

(相關(guān)資料圖)

已有兩大廠商私下證實(shí)這一消息，并表示“先前該產(chǎn)品1.45-1.48的美元低價(jià)位，未來(lái)不會(huì)再出現(xiàn)了”，意味存儲(chǔ)芯片價(jià)格全面看漲，有望在供應(yīng)鏈配合下，進(jìn)入報(bào)價(jià)回升周期。

據(jù)臺(tái)灣電子時(shí)報(bào)昨日消息，在NAND Flash調(diào)漲趨勢(shì)下，大陸存儲(chǔ)模組廠近日暫停報(bào)價(jià)及接單，將配合原廠報(bào)價(jià)調(diào)高8%-10%。盡管買(mǎi)賣(mài)雙方仍處拉鋸階段，但產(chǎn)業(yè)漲價(jià)風(fēng)向愈趨明確，NAND價(jià)格逐步朝制造成本線靠攏。

值得注意的是，三星內(nèi)部規(guī)劃將暫停平澤P1產(chǎn)線，預(yù)計(jì)將延續(xù)至少1個(gè)月或更久，該產(chǎn)線主打的便是128層堆疊的第6代V-NAND成熟制程產(chǎn)品。

而近一年多以來(lái)，三星積極去化的主力就是V6產(chǎn)品，由于V6產(chǎn)能規(guī)模龐大，目前庫(kù)存水位仍有不少，但去化帶來(lái)成效，也有助于降低短期出貨壓力。

由于存儲(chǔ)芯片原廠積極推動(dòng)去化庫(kù)存，不時(shí)會(huì)要求特定存儲(chǔ)芯片模組配合拿貨。臺(tái)媒指出，先前曾傳出3家大陸模組廠商于二季度與三星簽下大單，各家將承接6000萬(wàn)顆512Gb IC，將分批在未來(lái)6個(gè)月內(nèi)完成拉貨，成本價(jià)格約在1.45美元。

近期NAND漲價(jià)傳言不斷，許多中小型客戶均計(jì)劃趁漲價(jià)前再拉低價(jià)囤貨。隨著原廠減產(chǎn)動(dòng)作發(fā)酵，存儲(chǔ)芯片模組業(yè)者也配合漲價(jià)，有助于推動(dòng)OEM客戶重啟備貨。

此外，從存儲(chǔ)芯片業(yè)界近期釋出的信號(hào)來(lái)看，產(chǎn)業(yè)景氣確有接近谷底跡象。

例如封測(cè)廠南茂在2023年下半年展望中明確指出，DRAM訂單回溫，NAND模組廠也已陸續(xù)恢復(fù)拉貨，2024年有望進(jìn)入復(fù)蘇周期。存儲(chǔ)芯片控制IC設(shè)計(jì)廠商慧榮科技也指出，公司第三季營(yíng)收有望環(huán)比增長(zhǎng)15%-20％，毛利率則持穩(wěn)往上。

NAND Flash跌幅有望收斂 但漲價(jià)效應(yīng)有待繼續(xù)觀察

展望第三季，進(jìn)入傳統(tǒng)備貨旺季之后，NAND報(bào)價(jià)跌幅有望進(jìn)一步收斂。TrendForce便預(yù)估，第三季NAND Flash報(bào)價(jià)將環(huán)比下降3%-8％，跌幅收斂。

存儲(chǔ)芯片廠商則指出，整體而言，存儲(chǔ)芯片報(bào)價(jià)有落底現(xiàn)象，大廠全面啟動(dòng)減產(chǎn)，效應(yīng)預(yù)估第三季開(kāi)始反應(yīng)，報(bào)價(jià)已非全面下跌，HBM在AI風(fēng)潮帶動(dòng)下，需求大增，價(jià)格也不錯(cuò)，預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片報(bào)價(jià)于2024年重回上漲周期的概率頗高。

不過(guò)，存儲(chǔ)芯片短期出貨有望反彈的預(yù)期，有一部分原因來(lái)自iPhone 15即將上市、其他手機(jī)品牌也陸續(xù)推出新品。但目前終端需求疲軟，iPhone 15系列新機(jī)雖然將在秋季上市，但最新產(chǎn)業(yè)報(bào)告預(yù)估目標(biāo)產(chǎn)量大降至7700萬(wàn)臺(tái)，對(duì)電子產(chǎn)業(yè)的拉動(dòng)效果恐不明朗。

因此雖然產(chǎn)業(yè)鏈開(kāi)始暫停報(bào)價(jià)、擬調(diào)漲報(bào)價(jià)，但買(mǎi)方仍在觀望，漲價(jià)效應(yīng)有待繼續(xù)觀察，特別是主流存儲(chǔ)芯片報(bào)價(jià)上漲時(shí)間可能有所延后。