(資料圖片)

當(dāng)?shù)貢r(shí)間周五，美國(guó)商務(wù)部工業(yè)與安全局（BIS）在聯(lián)邦公報(bào)上披露了一項(xiàng)出口限制加碼的臨時(shí)最終決定，涉及先進(jìn)半導(dǎo)體、渦輪發(fā)動(dòng)機(jī)等領(lǐng)域。

（來源：聯(lián)邦公報(bào)）

根據(jù)公報(bào)，工業(yè)與安全局決定對(duì)《商務(wù)部管制清單》（CCL）和《出口管理?xiàng)l例》（EAR）同步實(shí)施修訂，對(duì)四項(xiàng)技術(shù)實(shí)施管制。

美國(guó)商務(wù)部主管工業(yè)與安全的副部長(zhǎng)Alan Estevez介紹稱，使半導(dǎo)體和發(fā)動(dòng)機(jī)等技術(shù)能夠更快、更高效、更長(zhǎng)時(shí)間，以及在更惡劣條件下運(yùn)行的科技進(jìn)步，可能會(huì)在商業(yè)和軍事環(huán)境中“改變游戲規(guī)則”。

據(jù)悉，此次被升級(jí)出口管制的技術(shù)包括：

寬禁帶半導(dǎo)體材料氧化鎵（Ga2O3）和金剛石：氮化鎵和碳化硅是生產(chǎn)復(fù)雜的微波、毫米波設(shè)備，或大功率半導(dǎo)體器件的主要材料。而氧化鎵和金剛石有潛力能制造出更加復(fù)雜的設(shè)備，同時(shí)能耐受更高的電壓或溫度。

開發(fā)GAAFET（全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）結(jié)構(gòu)集成電路的ECAD軟件：電子計(jì)算機(jī)輔助軟件（EDA/ECAD），用于設(shè)計(jì)、分析、優(yōu)化和驗(yàn)證集成電路或印刷電路板的性能。作為FinFET的繼任者，GAAFET（全柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管）被視為量產(chǎn)3nm及以下工藝制程的關(guān)鍵技術(shù)。BIS也在征求公眾意見，以決定哪些ECAD的具體功能特別適用于設(shè)計(jì)GAAFET電路，以確保美國(guó)政府能夠有效實(shí)施這項(xiàng)管制。

壓力增益燃燒技術(shù)（PGC）：這項(xiàng)技術(shù)有潛力能提高燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)10%以上效率，潛在影響航空航天、火箭和超高音速導(dǎo)彈系統(tǒng)。PGC技術(shù)利用多種物理現(xiàn)象，包括共振脈沖燃燒、定容燃燒和爆震，導(dǎo)致穿過燃燒器的有效壓力上升，而消耗的燃燒量相同。BIS目前無法確認(rèn)任何正在生產(chǎn)中的引擎使用了這項(xiàng)技術(shù)，但目前已經(jīng)有大量研究指向潛在生產(chǎn)。