受全球經(jīng)濟放緩、電子產(chǎn)品需求疲軟以及供應鏈波動等多重因素影響，存儲芯片市場出現(xiàn)了產(chǎn)能過剩、價格下跌和庫存積壓的情況。許多中國存儲企業(yè)面臨了巨大的經(jīng)營壓力，甚至不得不縮減生產(chǎn)規(guī)?；蜻M行業(yè)務調(diào)整以應對困境。

自研芯片，讓存儲更多樣

慶幸的是，從2024年開始，國內(nèi)外存儲市場持續(xù)回暖，尤其是在新興領(lǐng)域如人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、云計算等技術(shù)的推動下，對高性能、大容量存儲芯片的需求更是呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。這也讓許多存儲企業(yè)開始積極調(diào)整戰(zhàn)略，加大研發(fā)和生產(chǎn)投入，以滿足市場的快速增長需求。

其中，以江波龍為代表的半導體存儲品牌企業(yè)憑借其深厚的技術(shù)積累和市場洞察力，推出了一系列創(chuàng)新的產(chǎn)品和技術(shù)。江波龍存儲芯片領(lǐng)域不斷突破技術(shù)，產(chǎn)品和服務獲得了客戶高度認可。

2019年江波龍便開始布局 SLC NAND Flash 小容量存儲芯片業(yè)務，現(xiàn)在已經(jīng)實現(xiàn)系列產(chǎn)品規(guī)?；慨a(chǎn)。近日，江波龍旗下品牌FORESEE又推出了首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash，該產(chǎn)品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數(shù)據(jù)訪問帶寬可達400MB/s，將有望應用于eMMC、SSD等產(chǎn)品上，為公司存儲產(chǎn)品組合帶來更多可能性。

加大投入，解決技術(shù)難題

江波龍近年來在存儲芯片領(lǐng)域大力投入研發(fā)，公司匯聚了一批超過20年經(jīng)驗的存儲芯片設計專家。團隊精通閃存芯片設計技術(shù)，對Flash工藝節(jié)點有深厚經(jīng)驗，能夠定制不同容量和接口的閃存芯片。產(chǎn)品測試方面，公司利用自研測試平臺和片上DFT電路，確保芯片的一致性和可靠性。

在存儲芯片設計的每個階段，江波龍都面臨技術(shù)挑戰(zhàn)，從邏輯設計到物理實現(xiàn)，每一步都需精心策劃和嚴格實施。例如，MLC NAND Flash芯片要求精確控制存儲單元內(nèi)的電荷數(shù)量，這需要高精度模擬電路和先進算法的支持。江波龍通過內(nèi)嵌微控制器和溫度傳感器，實現(xiàn)了更靈活的算法控制和更精準的數(shù)據(jù)存儲。

為了滿足接口訪問的高帶寬需求，江波龍還設計了高速數(shù)據(jù)讀寫通路，涵蓋讀出放大器、高速邏輯轉(zhuǎn)換和冗余替換電路。通過精確匹配關(guān)鍵信號延遲，確保了數(shù)據(jù)的穩(wěn)定傳輸。

目前，江波龍已具備多種Flash產(chǎn)品的設計能力，并計劃通過強大的工程和品控能力，逐步擴展更豐富的Flash產(chǎn)品系列，以滿足市場的不斷增長需求。

2024年全球存儲芯片行業(yè)迎來大復蘇，存儲品牌企業(yè)都將面臨新一輪的產(chǎn)業(yè)爆發(fā)和挑戰(zhàn)。2024年也是江波龍成立25周年的關(guān)鍵年，公司將繼續(xù)加大在技術(shù)研發(fā)和創(chuàng)新方面的投入，推出更多具有創(chuàng)新性和領(lǐng)先性的產(chǎn)品和技術(shù)。同時，也會加強與全球合作伙伴的合作，共同推動存儲芯片行業(yè)的發(fā)展。