5月31日晚，南大光電(300346.SZ)發(fā)布公告稱，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品再次通過客戶認(rèn)證。

ArF光刻膠材料是集成電路制造領(lǐng)域的重要關(guān)鍵材料，對國內(nèi)半導(dǎo)體自主研發(fā)及國產(chǎn)化意義重大。

南大光電由南京大學(xué)孫祥禎教授創(chuàng)辦，近年來，公司加快產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，奔跑在助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化突破的路上。

“ArF光刻膠產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”是寧波南大光電承接國家“02專項”的一個重點攻關(guān)項目，于2017年開始研發(fā)，至今已有4年多。

2020年12月17日晚，南大光電曾公告稱，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品成功通過客戶的使用認(rèn)證。認(rèn)證評估報告顯示，本次認(rèn)證選擇客戶50nm閃存產(chǎn)品中的控制柵進(jìn)行驗證，寧波南大光電的ArF光刻膠產(chǎn)品測試各項性能滿足工藝規(guī)格要求，良率結(jié)果達(dá)標(biāo)。

當(dāng)時，南大光電表示，本次產(chǎn)品認(rèn)證的通過，標(biāo)志著“ArF光刻膠產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化”項目取得了關(guān)鍵性的突破，成為國內(nèi)通過產(chǎn)品驗證的第一只國產(chǎn)ArF光刻膠。

這一次，南大光電的光刻膠產(chǎn)品認(rèn)證系選擇客戶55nm技術(shù)節(jié)點邏輯芯片產(chǎn)品的工藝進(jìn)行驗證，測試良率結(jié)果符合要求，表明其具備55nm平臺后段金屬布線層的工藝要求。

相較去年12月的產(chǎn)品通過認(rèn)證，本次選擇的是55nm技術(shù)節(jié)點邏輯芯片。

南大光電稱，公司自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品去年12月在一家存儲芯片制造企業(yè)的50nm閃存平臺上通過認(rèn)證后，這一次是在邏輯芯片制造企業(yè)55nm技術(shù)節(jié)點的產(chǎn)品上取得認(rèn)證突破。

ArF光刻膠材料是集成電路制造領(lǐng)域的重要關(guān)鍵材料，可以用于90nm-14nm甚至7nm技術(shù)節(jié)點的集成電路制造工藝。廣泛應(yīng)用于高端芯片制造(如邏輯芯片、存儲芯片、AI芯片、5G芯片和云計算芯片等)。

業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，ArF光刻膠的市場前景好于預(yù)期。隨著國內(nèi)IC行業(yè)的快速發(fā)展，自主創(chuàng)新和國產(chǎn)化步伐的加快，以及先進(jìn)制程工藝的應(yīng)用，將大大拉動光刻膠的用量。

光電稱，ArF光刻膠產(chǎn)品與本次認(rèn)證通過的客戶之間的產(chǎn)品銷售與服務(wù)協(xié)議尚在協(xié)商中，ArF光刻膠的復(fù)雜性決定了其在穩(wěn)定量產(chǎn)階段仍然存在工藝上的諸多風(fēng)險，決定著ArF光刻膠的量產(chǎn)規(guī)模和經(jīng)濟(jì)效益。

今年5月11日，南大光電董事長馮劍松在2020年度業(yè)績說明會上介紹，自主研發(fā)的ArF光刻膠產(chǎn)品拿到了國產(chǎn)光刻膠首個訂單，已經(jīng)實現(xiàn)小批量銷售。公司ArF光刻膠產(chǎn)品開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目已完成25噸光刻膠生產(chǎn)線建設(shè)。

6月1日早盤，受利好消息刺激，南大光電股價大漲12.6%，收報35.47元/股，市值增長16.16億元。