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據(jù)ETNews報(bào)道，為了提高新一代NAND閃存的競(jìng)爭(zhēng)力，三星電子將在2024年升級(jí)其NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈，也就是其平澤P1工廠。未來(lái)大部分產(chǎn)線將從V6 NAND改為生產(chǎn)更先進(jìn)的V8 NAND。此舉一方面是變相減產(chǎn)以削減過(guò)高的V6 NAND庫(kù)存，另一方面也是為V8 NAND未來(lái)的產(chǎn)能擴(kuò)展做準(zhǔn)備。報(bào)道稱，為了明年徹底改變NAND核心設(shè)備供應(yīng)鏈，各大NAND生產(chǎn)基地都在積極進(jìn)行設(shè)備運(yùn)行測(cè)試。此前，外媒曾報(bào)道稱，三星電子的半導(dǎo)體產(chǎn)品庫(kù)存今年上半年都有一定程度的增加。在上半年結(jié)束時(shí)，該公司旗下設(shè)備解決方案部門的庫(kù)存已增至33.69萬(wàn)億韓元，高于去年年底時(shí)的29.06萬(wàn)億韓元。在今年第二季度的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，三星電子高管表示，該公司計(jì)劃下半年繼續(xù)削減存儲(chǔ)芯片的產(chǎn)量，尤其是NAND閃存的產(chǎn)量，以加速庫(kù)存正常化。上周，業(yè)界消息人士稱，為了減少NAND庫(kù)存，該公司將實(shí)施大規(guī)模減產(chǎn)，目標(biāo)是到今年年底將庫(kù)存降至正常水平，即6-8周。今年8月21日，業(yè)內(nèi)人士透露，三星電子正在將日本東京電子（TEL）的最新設(shè)備引入其位于平澤園區(qū)的第三工廠（P3）的NAND生產(chǎn)線。該公司此次采購(gòu)的TEL設(shè)備是用于整個(gè)半導(dǎo)體工藝的蝕刻設(shè)備。